haadf前沿信息_haadf和df4(2024年12月实时热点)
透射电镜(TEM测试)全解析 透射电镜(TEM测试)是一种强大的材料分析工具,能够提供多种观察和测量手段。以下是它的主要功能: 普通形貌观察:直接观察材料的微观形貌。 HRTEM(高分辨率透射电镜):提供高分辨率的图像,揭示材料的晶体结构。 EDS点/线/面(Mapping):进行元素分布分析,生成元素映射图像。 选区衍射:通过选区衍射分析,研究材料的晶体结构和缺陷。 STEM/HAADF:利用扫描透射电镜和高角度环形暗场成像,提供更详细的材料信息。 这些功能使得透射电镜成为材料科学、纳米技术、电子工程等领域的重要研究工具。
tem图像 透射电镜(TEM)测试,真的是探索微观世界的一大利器!它不仅能让你看到普通形貌,还能通过高分辨率透射电镜(HRTEM)看到更细致的结构。更酷的是,它还能进行能量散射谱(EDS)分析,无论是点、线还是面(Mapping),都能轻松搞定。选区衍射和STEM/HAADF成像也是它的拿手好戏。 简单来说,TEM测试可以帮你看到那些肉眼看不到的东西,给你一个全新的视角来理解材料的世界。无论是科研还是工业应用,TEM都是不可或缺的强大工具。
电镜明星齐聚!谁最亮眼? 电镜界的四大明星:透射电镜/TEM、扫描电镜/SEM、原子力显微镜/AFM、激光扫描共聚焦显微镜/CLSM~~~ 扫描电镜/SEM 作用:主要用于观察表面形貌、断口形貌以及微区化学成分分析。 项目:表观形貌、EDS能谱点扫、EDS能谱线扫、EDS能谱面扫/Mapping(镀金后可拍摄弱磁/强磁样品)。 推荐仪器:捷克泰思肯/TESCAN MIRA3 젩射电子显微镜/TEM 作用:通过聚焦电子束投射到非常薄的样品上,形成透射电子束或衍射电子束的图像,分析样品内部的微观组织结构。 项目:表面形貌、EDS能谱点扫、EDS能谱线扫、EDS能谱面扫/Mapping、HAADF(STEM)、衍射(非磁/弱磁/强磁样品均可拍摄)。 推荐仪器:日本电子/JEOL JEM-1200、日本日立/HITACHI HT7800(120KV) 原子力显微镜/AFM 作用:研究固体材料(包括绝缘体)的表面形貌结构信息和表面粗糙度。 项目:表面形貌/粗糙度、厚度、相图、力曲线、杨氏模量、KPFM、PFM、C-AFM、EFM、LFM、MFM、Force Mapping、原位、液下、原子力显微镜-红外联用。 推荐仪器:德国布鲁克/Bruker Maltimode8、德国布鲁克/Bruker Dimension ICON 🠦🀥 扫描共聚焦显微镜/CLSM 作用:应用于细胞或组织的形态结构观察、生物活性物质追踪和基因表达调控等研究。 项目:细胞live/dead、探针在细胞内成像、免疫荧光、细胞器亚定位、组织成像、各类成分的多标记3D成像。 推荐仪器:日本VL200DX-SVF17SP
透射电子显微镜(TEM)全解析 透射电子显微镜(TEM)是一种强大的科研工具,用于观察和分析材料内部的微观结构。以下是关于TEM的详细解析: 1️⃣ 仪器型号: 日本电子/JEOL JEM-2100 日本电子/JEOL JEM-F200 日本日立/HITACHI HT7800 (120kV) 美国赛默飞 FEI TF20 2️⃣ 原理与应用: TEM利用聚焦电子束投射到非常薄的样品上,通过透射或衍射电子束形成的图像来分析样品内部的微观组织结构。 3️⃣ 测试项目: 表面形貌 EDS能谱:点扫、线扫、面扫/Mapping HAADF(STEM) 衍射 4️⃣ 样品要求: 样品状态:粉末、块状/薄膜、液体样品均可测试。 块状/薄膜样品不能直接拍摄,需另行制样(如离子减薄、包埋切片、FIB等),样品厚度不超过100nm。 一般制样选普通铜网或微栅铜网,颗粒直径<10nm选超薄碳膜。若含Cu,拍摄EDS能谱和Mapping可选镍网或钼网等。 常用溶剂为乙醇,其次是水(易挥发且不会在碳膜上留下痕迹),其他溶剂请自备(如甲苯、丙酮等较易在碳膜上留下印迹)。 超声一般默认是5min。 5️⃣ 注意事项: 安全性:无毒、无放射性。 是否含有有机物:有机物在高压下不稳定,拍摄过程中极易被打散,样品被打散的同时会污染到仪器。如需拍摄,请务必与测试老师确认。带有机物的样品,无法拍摄Mapping。 磁性:磁性颗粒易吸附到极靴上,原则上电镜不拍磁性样品。但不同设备、测试老师不同的样品处理经验下,对所拍样品中磁性强弱的接受度不同。磁性样品包括含铁、钴、镍、锰等磁性元素的材料。注意,磁性分硬磁和软磁,有些材料对外不表现磁性,但加磁场后容易磁化,受热后磁性增强也需要定义为磁性样品。强磁:吸铁石能吸起来的样品。弱磁:吸铁石吸不起来但按前述定义为磁性的样品。 6️⃣ 结果展示: TEM图像展示了样品的微观结构,通过这些图像可以分析材料的性质和变化。 通过以上信息,您可以更好地了解透射电子显微镜的应用和操作注意事项,从而更好地利用这一强大的科研工具。
透射电镜制样指南:从样品到观察 嘿,大家好!今天我们来聊聊透射电镜(TEM)制样的那些事儿。透射电镜可是个宝贝,能帮你看到材料内部的秘密,像普通形貌、HRTEM、EDS点/线/Mapping、选区衍射、STEM/HAADF等等,简直无所不能。不过,要想从透射电镜里看到漂亮的图像,样品的准备可是关键。 样品要求 首先,样品的状态有很多种,粉末、块状、薄膜、液体都可以测试。但要注意,块状和薄膜样品不能直接拍摄,需要经过一些处理,比如离子减薄、包埋切片、FIB等,让样品的厚度不超过100nm。一般来说,普通铜网或微栅铜网就足够了,如果颗粒直径小于10nm,那就得用超薄碳膜了。如果样品中含有Cu元素,还需要拍摄EDS能谱和Mapping,这时候可以选择镍网或钼网。 溶剂选择 犥觚溶剂是乙醇,其次是水。乙醇容易挥发,而且不会在碳膜上留下痕迹。其他溶剂可能会在碳膜上留下印迹,所以大家可以根据自己的需求选择。超声时间一般默认是5分钟。 仪器型号 슥𘂩⤸有很多型号的透射电镜,比如日本的JEOLJEM-2100 COOl和日立的HTACHIHT7800(120kV)。不同的仪器有不同的特点和适用范围,大家可以根据自己的需求选择合适的型号。 其他测试方法 犩䤺透射电镜,还有很多其他测试方法可以帮你更好地了解材料的性质。比如电感耦合等离子体ICPOES/MS、有机元素分析EA、场发射电子扫描电镜SEM、CNS元素分析仪、电子背散射衍射EBSD、氨基酸分析仪、能量色散X射线光谱EDX、X-射线荧光光谱XRF、电子能量损失谱EELS、离子色谱IC等等。 物性分析 如果你对材料的物理性质感兴趣,还可以进行热学性能测试,比如氩离子抛光、热重分析TG-DTG、球差透射电镜AC-TEM、差示扫描量热仪DSC、原子力显微镜AFM等。声光电磁方面的测试也有不少选择,比如电子自旋共振波谱ESR/EPR、振动样品磁强计VSM、液体/固体核磁共振NMR/SSNMR、荧光类测试、霍尔效应测试Hall等。 结语 总之,透射电镜制样是一门技术活,但只要你掌握了这些基本知识,就能轻松上手。希望这篇文章能帮到你,让你在透射电镜的世界里畅游无阻!如果你有任何问题或想法,欢迎在评论区留言哦!
北京电镜实验室:探索微观世界的秘密 北京电镜实验室,位于中国的心脏地带,是探索材料微结构和成分分析的理想之地。这里拥有先进的设备和技术,为科研人员和工程师提供了一个完美的平台。 젥ꌥ主要设备包括JEOL ARM 200F球差电镜,能够提供高分辨率的HAADF-STEM和ABF-STEM成像,以及EELS点、线、面和EDS点、线、面分析服务。其卓越的分辨率和放大倍数,使得微观尺寸和成分分析成为可能,分辨率高达0.078 nm(STEM)和0.11 nm(TEM),放大倍数从100倍到150000000倍不等。 ᠥꌥ服务范围广泛,包括电镜检测、材料微结构分析、成分分析以及先进工艺制程监控。无论是高端刻蚀机台及PVD、CVD机台工艺验证,还是原材料品控,这里都能提供专业的分析服务,确保技术达标。 ️ 实验室还提供样品制备、截面分析以及TEM样品表征等服务。无论是SEM、FIB-SEM、TEM还是ACTEM,这里都能满足您的需求。此外,实验室还提供纳米线纵向切割、超品格薄膜样品以及磁隧道结多层膜等特殊样品的制备服务。 袀 实验室由中科院博士团队领衔,提供数据分析以及培训服务。我们的本地化服务能力和产能优势,确保您能够获得最专业的技术支持和服务。 砦 论是科研探索还是工业应用,北京电镜实验室都是您不可或缺的合作伙伴。让我们一起探索微观世界的奥秘,开启科学的全新篇章!
磷化铟(InP)纳米脊线内的InGaAs脊量子阱生成机制 ? 前言:镓锗砷化铟(InGaAs)脊量子阱是一种精妙无比的纳米结构,它具有很强的光电子学和量子光学应用潜力,在光电子集成领域中,纳米结构的引入不仅可以调控材料的光学特性和载流子输运过程,还可以在光子和电子限域效应下实现独特的量子行为,为实现高度可调控的光电子学器件提供了助力。 ? 在下面的研究中,我们将对磷化铟(InP)纳米脊线内的InGaAs脊量子阱的生成、结构和光学特性进行深入研究,实验数据将由能量色散光谱和电子显微镜技术的综合应用表征。 ? 实验的开始,先嵌入Si衬底上InP纳米脊内的InGaAs量子结构的生成机制,目的是在Si衬底上搭建多个相同的 InGaAs 量子结构,并利用原子平滑再生成模板的缺陷捕获能力扫除缺陷。 ? 这次研究中使用的Si衬底具有较厚的氧化物间隔物(范围从300 nm到600 nm),沟槽开口约为450 nm,相邻沟槽之间的间距约为550 nm。 ? 生成过程遵循InGaAs量子结构的机制,但添加了延长的第二个HT-InP 缓冲区,以促进不同 InGaAs 量子结构的形成,主要区别在于,InGaAs 量子结构是在 InP 与 SiO2 间隔物接触后形成的,并呈现自限制形状。 ? 图1a显示了生成样品的俯视SEM图像,显示了大面积的均匀InP纳米脊阵列,图1b中放大的70度倾斜SEM图像显示了刻面生成,根据微观图像显示,InP 纳米脊在Si衬底上形成良好且排列整齐。 ? 接下来,我们先使用横截面透射电子显微镜 (TEM) 来检查V形槽在Si基板上的InGaAs量子结构,然后再使用高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)进行分析。 ? 图2a显示了V形槽Si上典型InP纳米脊的HAADF-STEM图像,并且可以在InP纳米脊的上部清楚地识别出堆叠的InGaAs量子阱结构,在该特定结构中,每个QWR的生成时间为15秒。 ? 图2c是前三个QWR(量子线)的放大HAADF-STEM图像,显示出宽度为30 nm、高度为20 nm的三角形。 ? 除此以外,我们沿着纳米脊还发现了厚度为3 nm的InGaAs量子阱(图2b),这些量子阱具有均匀的厚度并表现出尖锐的InGaAs/InP界面。 ? 根据我们的观察,与其他前三个QWR相比,第一个QWR具有更大的尺寸,这可能是由于 InGaAs 层制备过程中的生成中断造成的。 ? 通过消除生成中断,如图3a所示,可以获得均匀的InGaAs量子结构,然而,脊QW的存在被一些科研人员认为对高效反应来说是负面的,因为它们更容易受到从III-V/Si界面传播的缺陷的影响,因此,消除脊QW以增强量子限制,并最大限度地减少载流子从QWR逃逸到脊QW至关重要。 ? 为了将InGaAs量子线结构与QW解耦并实现更好的量子限制,研究人员缩短了InGaAs层的生成时间,图3a显示了四个堆叠式InGaAsQWR的横截面TEM图像,生成时间缩短为2秒,与15秒生成的QWR相比,较短生成时间有效抑制了脊状QW的形成。 ? 放大图3b中的QWR,可以看到与生成时间较长的QWR类似的线结构,这表明生成时间的减少不会显著影响整体线结构。 ? 随着进一步的缩短生成时间,我们将其缩短至1秒,然后降至0.5秒,导致QWR的垂直尺寸从 20 nm 缩小至 7 nm,然后再缩小至 2 nm,从图3c和图3d中放大的TEM图像可以明显看出这一信息。 ? 最后我们对其中一种 InGaAs 量子线 (QWR) 结构进行能量色散光谱 (EDS) 线扫描分析,以研究其沿垂直方向的化学成分,用于EDS测量的扫描线如图2c所示。 ? 图4所示的扫描结果表明,沿QWR的垂直方向,铟(In)和镓(Ga)的成分均表现出不均匀性,具体来说,铟成分从QWR的底部到顶部单调减少,而镓成分则显示出相反的趋势。 ? 结论:通过实验,我们观察到了在Si衬底上的InGaAs量子阱结构具有尖锐的InGaAs/InP界面,并且得知,通过消除脊状量子阱,可以实现更好的量子限制,最大限度地减少了载流子从量子线结构逃逸到脊状量子阱的现象。 ? 我们还发现通过控制InGaAs层的生成时间可以调节量子线结构的尺寸,进而实现电信频段发射波长的可调性,最后,通过EDS线扫描分析显示,在量子线结构的垂直方向,铟(In)和镓(Ga)的成分表现出了不均匀性,这将为进一步研究提供更多的信息。 ? 总结来讲,这次研究对InP纳米脊线内的InGaAs脊量子阱的生成机制、结构和光学特性进行了深入研究,为光电子学和量子光学应用提供了重要的理论支持,这些结果对于新型光电子学器件的开发具有战略意义。
台式扫描电子显微镜 좜襏扫描电子显微镜的出现,真的是科研工作者们的福音!这种显微镜不仅体积小巧,还能提供超高分辨率的图像,简直是微观世界的“放大镜”!今天,我就来和大家聊聊台式扫描电子显微镜的基本原理、应用以及样品制备和检测的注意事项。 찟台式扫描电子显微镜的基本原理 台式扫描电子显微镜(SEM)通过电子束作为探针,利用电子源、电子透镜系统、样品台、扫描线圈和检测系统,实现对样品表面微观结构的高分辨率成像。电子源(热阴极或场发射阴极)发射电子束,这些电子束通过电子透镜系统聚焦并导向。样品台则用于放置待观察的样品,并可沿XY方向微动,确保电子束能精确扫描样品表面。 电子束在样品表面扫描时会产生多种信号,例如二次电子信号(SE)、反射电子信号(BSE)和特征X射线等。接收器和检测系统会收集这些信号,并将其转换成图像,供我们分析和观察。通过这种方式,SEM能够提供极高分辨率的图像,让我们深入了解样品的微观结构。 찟𘩫分辨成像技术的应用 台式扫描电子显微镜的高分辨成像技术真的超厉害!它能观察到纳米级别的样品细节,大大提高图像的衬度。比如在材料科学、纳米技术、生物科学和电子工程等领域,SEM的应用非常广泛。无论是快速获得高分辨率的BF像、DF像还是HAADF像,台式扫描电镜都能轻松搞定,而且还支持用户自定义成像,简直是科研神器! 我曾经用SEM观察过一些纳米材料,真的能够清晰地看到每一个细微的结构,感觉自己像是进入了一个全新的微观世界。这样的高分辨成像技术,不仅让我们能够深入研究材料的微观结构,还能帮助我们更好地理解和改进这些材料的性能。 ꢚ️样品制备与检测注意事项 样品制备是确保成像质量的关键。不同样品有不同的制备方法,比如粉末样品可以直接用导电胶粘在样品台上,液体样品则需要超声后悬浊液滴一滴于导电胶上自然风干。块体或薄膜样品可能需要剪裁或液氮脆断才能显现其截面。 在检测过程中,要注意形貌、能谱点扫、线扫和面扫的具体要求。通常,形貌检测每个样品会提供8张左右的照片,而能谱点扫、线扫和面扫则各自有不同的测试点位。为了确保数据准确,测试周期一般为3-5个工作日,如果需要加急处理,当天也能完成。 为了让样品在SEM下展现最佳状态,导电处理是必不可少的。比如给陶瓷或生物样品喷上金属或碳膜,可以防止电荷积累导致的图像失真。对于那些易挥发的样品,使用低束流密度或环境扫描电镜技术也是很好的选择。 SEM的世界真是充满了奇妙和挑战,每次看到那些微观世界的景象,都会感叹科技的进步和科学家的智慧。如果你也有使用SEM的经验或问题,欢迎在评论区和我分享哦!一起交流,让我们更好地探索这微观世界的奥秘!좜耀
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科学家通过高角度环形暗场扫描透射电子显微镜
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不同模拟相的haadf stem图像:
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图4不同热处理状态下双峰结构铝基复合材料的stem
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科学家通过高角度环形暗场扫描透射电子显微镜
北京工业大学隋曼龄教授,闫鹏飞教授团队:电子能级决定
图里展示了根据模拟得出的,作为厚度函数的高角环形暗场
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tas 2单层的高角度环形暗场
图2:通过高角环形暗场扫描透射电子显微镜
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